特許

J-GLOBAL ID：200903075440953153

振動式トランスデューサとその製造方法

発明者： 吉田 隆司 ,  池田 恭一 ,  工藤 貴裕 ,  豊田 昌二郎 ,  新国 雅章 ,  後藤 茂 ,  宮崎 俊一
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030128
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成で歪を高精度に計測することができるように改良された振動式トランスデューサとその製造方法を提供するにある。【構成】 第1伝導形式を有する半導体の基板と、この基板の表面に形成され先の伝導形式とは逆の第2伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、両端が固定されこれ等のドレインとソースの表面から変位可能なように間隙を保持しながら先のドレインとソースのうち少なくとも1つと先のチャネルとを覆って配置され自励発振により先のドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の振動ゲートとを具備する振動式トランスデューサと、その製造方法である。

請求項（抜粋）：

第1伝導形式を有する半導体の基板と、この基板の表面に形成され前記伝導形式とは逆の第2伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、両端が固定されこれ等のドレインとソースの表面から変位可能なように間隙を保持しながら前記ドレインとソースのうち少なくとも1つと前記チャネルとを覆って配置され自励発振により前記ドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の振動ゲートとを具備することを特徴とする振動式トランスデューサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01H 11/00 ,  G01L 1/10 ,  G01L 9/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-100627
  
• 特開昭61-222178
  
• 特開平2-196472
  
• 特開昭59-095420