特許

J-GLOBAL ID：200903075454178357

シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： ヴィルフレッド・フォン・アモン ,  エリッヒ・ドーンベルガー ,  ハンス・エルクラグ ,  ペーター・ゲーラッハ ,  フランツ・ゼギエト
出願人/特許権者： ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-329839
公開番号（公開出願番号）：特開平7-257991
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】 その速度を越えると積層欠陥リングが現れる引上げ速度Vcritの下限を上昇させることができる方法で、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げる方法を提供する。【構成】 るつぼ中に収容されたシリコン溶融体をその垂直方向にある特定の速度で引上げるシリコン単結晶の引上げ方法であって、成長する単結晶の固相/液相の境界領域の温度勾配にほぼ比例する最大引上げ速度を越えない速度で引き上げる。

請求項（抜粋）：

るつぼ中に収容されたシリコン溶融体をその垂直方向にある特定の速度で引上げるシリコン単結晶の引上げ方法であって、成長する単結晶の固相/液相の境界領域の温度勾配にほぼ比例する最大引上げ速度を越えない速度で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン単結晶の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-081837   出願人：信越半導体株式会社
• 特公昭57-040119