特許
J-GLOBAL ID：200903075461389355
多結晶シリコン薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034408
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029536
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜との界面における表面電荷密度を低減化し、チャンネル制御性を向上し、移動度やON電流/OFF電流比を改善する。【構成】 ガラス基板上に形成した多結晶シリコン薄膜にソース電極、ドレイン電極が形成され、両電極間の多結晶シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された薄膜トランジスタの多結晶シリコン薄膜とゲート絶縁膜間にアモルファスシリコン膜層を形成する。【効果】 チャンネル制御性が向上し、キャリア移動度、ソース電極-ドレイン電極間のON電流とOFF電流の比率が改善され、また表面電荷が少なくなるたうにOFF電流が低減化し、さらに特性のバラツキや再現性を改善することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に形成した多結晶シリコン薄膜にソース電極、ドレイン電極が形成され、両電極間の多結晶シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された薄膜トランジスタであって、多結晶シリコン薄膜とゲード絶縁膜間にアモルファスシリコン膜層が形成されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
