特許

J-GLOBAL ID：200903075463446186

エレクトロルミネッセンス素子の形成方法

発明者： 和田 俊司 ,  安崎 利明 ,  吉井 哲朗 ,  小林 史朗
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251873
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】EL素子用の発光効率が優れた発光中心が硫化亜鉛発光層を、スパッタリング法により形成する方法を提供する。【構成】硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を添加混合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガスでスパッタリングし、スパッタリングされた分子を500°C〜650°Cに維持した基板上に70nm/分〜150nm/分の成膜速度で形成し、発光層とする。

請求項（抜粋）：

発光中心がドープされた硫化亜鉛からなる発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子を基板上に形成する方法において、前記発光層を、硫化亜鉛微粉末に発光中心となる物質を添加混合し焼結したターゲットを減圧した純不活性ガスでスパッタリングし、前記スパッタリングされた分子を500°C〜650°Cに維持した前記基板上に70nm/分〜150nm/分の成膜速度で形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の形成方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H05B 33/14