特許
J-GLOBAL ID：200903075463616898
単結晶SiCおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315127
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147795
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 不純物およびマイクロパイプ欠陥等が残存しないとともに、外部からの汚染、熱処理時の雰囲気変動による影響を最少限に抑えて品質が非常に高く、かつ、大型の単結晶SiCを生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1の表面に熱化学的蒸着法により成膜されたβ-SiC(またはα-SiC)多結晶膜2の表面2aを平滑に研磨してなる複合体Mの二つを、それらのα-SiC単結晶基板1,1の結晶軸方位を同一にして平滑な研磨表面2a ́,2a ́同志を介して密着固定させた状態で、それら複合体M,mを2000°C以上の高温で、かつSiC飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理することによりβ-SiC多結晶膜2の再結晶化によってα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育成させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基板の表面に熱化学的蒸着法により成膜されたβ-SiCもしくはα-SiCの多結晶膜の表面を平滑に研磨してなる複合体の二つを、これら複合体それぞれにおける上記α-SiC単結晶基板の結晶軸方位が同一に配向されるように各複合体における上記多結晶膜の平滑な研磨表面同志を介して密着固定した状態で熱処理することにより、上記両多結晶膜を再結晶化させて上記α-SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C30B 25/18
