特許
J-GLOBAL ID：200903075467935670
強誘電体膜のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255028
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060587
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【目的】 高いエッチングレートで、寸法シフトの無い高精度な強誘電体膜の微細加工を行う。【構成】 Pt膜5上にPZT膜6をゾルーゲル法により成膜し、そのPZT膜6上にマスクとなるSOG膜8をパターニングする。この試料ウェハーをECRプラズマエッチング装置内に設置し、エッチングガスとして、Arガスと塩素ガスとの混合ガスを、混合ガスの総流量に対するハロゲンガスの流量比が50%以下になるように導入し、基板温度を100°C以上400°C以下の範囲として、PZT膜6のエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
強誘電体膜上にマスクとなる耐エッチング膜をパターニングし、耐エッチング膜に覆われていない領域の上記強誘電体膜をエッチングする強誘電体膜のエッチング方法において、エッチングガスとして不活性ガスとハロゲンガス又はハロゲン化物ガスと炭化水素ガスとからなる混合ガスを用いてドライエッチングを行うことを特徴とする、強誘電体膜のエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 41/24
H01L 21/302 F
, H01L 41/22 A
