特許

J-GLOBAL ID：200903075475151793

半導体装置とその製造方法

発明者： 小山内 潤 ,  鷹巣 博昭 ,  北村 謙二 ,  原田 博文
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035316
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321221
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 安価、高機能、高精度な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 抵抗回路を構成する多結晶シリコン抵抗体の導電型、不純物濃度を各々用途に応じて設定し、多結晶シリコン抵抗体の膜厚は薄くしておくことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の多結晶シリコン抵抗体および第2導電型多結晶シリコン抵抗体とから構成される抵抗回路において、該第1導電型不純物と該第2導電型不純物のネットな濃度差が2倍以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822