特許
J-GLOBAL ID：200903075480334871
強誘電性素子のための多層電極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086509
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068529
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 強誘電性コンデンサにおける劣化問題を克服する。特に、強誘電性コンデンサにおける疲労問題、低電圧ブレイクダウン問題、及びエージング問題を克服する。【構成】 強誘電性素子が、シリコン又は二酸化シリコンなどの基板10上のRuOxなどの導電性酸化物から構成される下層電極11を用いて構成される。鉛ジルコネートチタネート(PZT)などの強誘電体材料からなる強誘電体層13が下層電極11上に堆積され、導電性中間層12が強誘電体層13と下層電極11との間の界面に形成される。この中間層12は強誘電体材料と電極材料との間の反応によって生成され、ここではPb2Ru2O7-xとなる。導電性上層電極14が強誘電体層13上に堆積される。この上層電極14は金属とすることができる。或いは、下層電極11と同じタイプの材料とすることもできる。この場合、第2の中間層が界面に形成され得る。
請求項（抜粋）：
(a)基板、(b)該基板上の、導電性酸化物から構成されるセラミック下層電極、(c)該下層電極の上にある強誘電体材料からなる強誘電体層、(d)該下層電極と該強誘電体材料の膜との間にあって、該導電性酸化物及び該強誘電体材料の元素の導電性化合物から構成される導電性中間層、及び(e)該強誘電体材料の膜の上にある導電性上層電極を備えている強誘電性素子。
IPC (2件)：
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