特許
J-GLOBAL ID：200903075484909216
ガリウムヒ素の分子線エピタキシャル成長用シリコン窒化物ガリウム拡散障壁の作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279634
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193002
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ガリウムヒ素の分子線エピタキシャル成長用シリコン窒化物ガリウム拡散障壁の作成方法【構成】 シリコン集積回路チップ上に、ガリウムに対するシリコン窒化物拡散障の薄膜を、作成する技術が述べられている。技術はプラズマ促進化学気相堆積装置内で、53:1ないし300:1の比の窒素及びシランを反応させることを含む。述べられている技術は、相互接続されたGaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造、変調器及びシリテコンMOSFET構造のモノリシック集積で使用することに、関心がもたれる。
請求項（抜粋）：
再流動化ガラスを含む最上部誘電体層を有する部分的にプロセスを経た電子デバイスを含むシリコン基板上に、シリコン基板をプラズマ促進化学気相堆積室中で、窒素対シラン比が300:1より小さい窒素及びシランを含むガス状混合物で処理することにより、シリコン窒化物ガリウム拡散障壁を堆積させる方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 16/50
, H01L 21/205
