特許

J-GLOBAL ID：200903075489498486

半導体装置およびその作製方法

発明者： 宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346710
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183535
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 画素領域と周辺回路領域とを同一基板上に形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供する。【構成】 同一基板上に周辺回路領域と画素領域とを形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域のTFTを基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用いて構成する。そして、周辺回路領域を構成する結晶性珪素膜はレーザー光を照射することによって結晶性を特に高めた構成とする。また結晶性珪素膜はニッケル等の結晶化を助長する触媒元素の導入によって550°C程度の温度で結晶化されたものを用いる。

請求項（抜粋）：

基板に平行な方向に結晶成長が行なわれた結晶性珪素膜を用いたTFTがアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域と周辺回路領域とに配置されており、前記周辺回路領域に配置されたTFTを構成する結晶性珪素膜は、レーザー光または強光を照射することによりその結晶性が高められていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-045162
  
• 特開平2-140915