炭化けい素半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222694
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314791
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】イオン注入によるドーピングが難しく、ドライエッチングによる加工も望ましくていSiC素体を用いて半導体素子を形成する。【構成】SiC素体表面に窒化シリコン膜によりマスクを形成し、選択的に熱酸化すれば、表面層の酸化膜による分離が可能である。また、生じた熱酸化膜を除去すれば溝が形成でき、たて形MOSFETのトレンチとして使用でき、あるいはガードリングのイオン注入を用いないでの形成も可能になる。

請求項（抜粋）：

炭化けい素半導体素体の第一導電形層の上に積層された第二導電形層の表面上に耐熱性被膜を形成する工程と、その耐熱性被膜の所定領域に開口部を明ける工程と、その開口部を通して半導体素体を第一導電形層に達するまで熱酸化する工程を含むことを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 B , H01L 29/78 321 V

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