特許

J-GLOBAL ID：200903075501100620

液晶表示素子の製造方法

発明者： 星野 博史
出願人/特許権者： オプトレックス株式会社
代理人 (1件)： 大原 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005729
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 簡単な設備で、しかも遮光膜形成用のマスクを必要とすることなく、透明電極間の非電極部に遮光膜を形成する。【構成】 透明基板10の一方の面に透明電極母層11およびポジレジスト12を順次形成した後、所定の透明電極形成パターンを有するマスク13を用いてポジレジスト12を露光し、現像して透明電極母層11上に透明電極形成パターンに沿ってポジレジスト12aを残し、そしてエッチングにより不要な透明電極母層11を除去してポジレジスト12aが積層されたポジレジスト付き透明電極11aを形成し、次に透明基板10の一方の面上にポジレジスト12a付き透明電極11aを含めてその全体にわたって遮光性インキ14を塗布した後、透明基板10の他方の面(背面)側から露光し、しかる後透明電極11a上のポジレジスト12aと遮光性インキ14とを剥離する。

請求項（抜粋）：

透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジストを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去して上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたって遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上のポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。