特許
J-GLOBAL ID：200903075503302646
半導体素子のバンプ形成用ワイヤ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345827
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196487
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 ワイヤ表面の酸化を阻止して保管による脆弱化を防ぐと共に、バンプ形成に際してキャピラリ詰まりやクランパ汚れが発生せず、連続して安定的にバンプ形成作業ができる合金ワイヤを提供する。【構成】 Pb,Sn,Inの何れか1つを主要元素として作製された細い合金ワイヤの表面に保護被膜を形成して、ワイヤ表面の酸化,キャピラリ詰まり,クランパ汚れを防止する。保護被膜は、加熱手段を不要とする硬化速度の早い塗料、例えば速乾性ラッカー,フッ素樹脂系常温硬化型塗料,常温硬化型ポリウレタン塗料,ポリアクリレート系紫外線硬化型塗料,ポリウレタン系電子線硬化型塗料などの、常温硬化型,紫外線硬化型,電子線硬化型の塗料を用いる。
請求項（抜粋）：
Pb,Sn,Inの何れか1つを主要元素として作製された細い合金ワイヤの表面に保護被膜を形成せしめてなることを特徴とする半導体素子のバンプ形成用ワイヤ。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
