特許

J-GLOBAL ID：200903075503844767

サファイア単結晶基板およびIII族窒化物系化合物半導体

発明者： 大山 公士 ,  飯野 貴幸
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282839
公開番号（公開出願番号）：特開2008-100859
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】その面上に積層させて得られるIII族窒化物系化合物半導体の結晶性が向上するサファイア単結晶基板と、この基板を用いて得られるIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】上記サファイア単結晶基板はサファイア結晶の(006)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が20arcsec以下であることを特徴とする。また、AlN、GaN等一般式AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1)で表されかつLEDの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の(006)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が20arcsec以下であるところの面指数のばらつきや格子面間隔のばらつき等が小さいサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

その面上にIII族窒化物系化合物半導体が積層されるサファイア単結晶基板において、 サファイア結晶の(006)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が20arcsec以下であることを特徴とするサファイア単結晶基板。

IPC (5件)：

C30B 29/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

C30B29/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (21件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平8-5756号公報