特許
J-GLOBAL ID：200903075506009257
ダイヤモンド半導体素子およびその電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156693
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037835
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 低欠陥表面を保ってダイヤモンド結晶基板中にダイヤモンド半導体素子電極を形成する方法および縦型のダイヤモンド半導体素子の形成方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド結晶基板1の表面2に100keVに加速されたBイオン等のイオン打ち込みのイオン3をイオン打ち込みし、上記ダイヤモンド結晶基板1内部に高照射損傷密度の層6および/または高イオン原子の密度の層7を導入して下地電極を形成する。イオン打ち込みのエネルギーを高くしてイオン打ち込みする事により、ダイヤモンド結晶基板表面を低欠陥密度に保つ。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド結晶基板の表面を低欠陥密度に保ちつつ、上記ダイヤモンド結晶基板内部に照射損傷および/または打ち込まれたイオン原子の密度の高い領域が導入されるようにイオン打ち込みする事により、上記ダイヤモンド結晶基板中に高導電性の領域を形成することを特徴とするダイヤモンド半導体素子電極の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/43
