特許

J-GLOBAL ID：200903075507402327

有機EL素子

発明者： 荒井 三千男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252074
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来の有機物質を用いた素子と同等かそれ以上の性能を有し、長寿命、耐候性、安定性等を持ち、高効率で、安価な有機EL素子を実現する。【解決手段】基板1と、この基板上に形成されたホール注入電極2と陰電極3と、少なくともこれらの電極間にある有機物質を含有する発光層とを有し、この発光層と陰電極との間には無機電子注入輸送層を、発光層とホール注入電極との間には無機絶縁性ホール注入輸送層4を有し、無機絶縁性電子注入輸送層6は、主成分として酸化ルビジウム及び外いくつかの酸化物から選択される1種以上の酸化物を含有し、無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコン及び/又はゲルマニウムの酸化物を主成分とし、主成分の平均組成を、(Si1-xGeX)Oyとしたとき、0≦x≦1、1.7≦y≦1.99であり、発光層は、ホスト物質により形成された層にはドーパントを含有する層を有する有機EL素子。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成されたホール注入電極と陰電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機物質を含有する発光層とを有し、この発光層と陰電極との間には、無機電子注入輸送層を有し、前記発光層とホール注入電極との間には無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、前記無機絶縁性電子注入輸送層は、主成分として酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化リチウム、酸化ルビジウム、酸化カリウム、酸化ナトリウム、および酸化セシウムから選択される1種または2種以上の酸化物を含有し、前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、主成分の平均組成を、(Si1-xGex)Oyと表したとき0≦x≦11.7≦y≦1.99であり、前記発光層は、前記無機絶縁性電子注入輸送層および/または無機絶縁性ホール注入輸送層と接する側に、ホスト物質により形成された層を有し、このホスト物質により形成された層の少なくとも一部にはドーパントを含有する層を有する有機EL素子。

IPC (3件)：

H05B 33/22 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z

Fターム (19件)：

3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007BB04 ,  3K007BB06 ,  3K007CA00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA04 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007FA03