特許

J-GLOBAL ID：200903075509449142

シリコンウェーハの製造方法

発明者： 黒川 昌彦 ,  山下 徹 ,  清 元浩
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051646
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257981
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】COPフリー領域の拡大、平坦度向上、キズがなく、ウェーハ表面にヘイズがなく、ウェーハ表面に異物が残存せず外観上の歩留が向上し、また、Bを添加したPタイプウェーハにおいてはB濃度の低下が抑制されて基板抵抗値が一定なシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法で育成したシリコン単結晶から所定の厚さのウェーハを切り出すウェーハ切出工程と、この切り出されたウェーハの表面を機械的加工するラッピング工程と、この機械的加工されたウェーハの表面を化学的腐食法により表面処理するエッチング工程と、このエッチング工程後のウェーハを1200〜1300°Cの温度において、1〜24hr加熱する熱処理工程と、この熱処理後のウェーハの片面もしくは両面を化学機械研磨方法により鏡面研磨する研磨工程とを有するシリコンウェーハの製造方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で育成したシリコン単結晶から所定の厚さのウェーハを切り出すウェーハ切出工程と、この切り出されたウェーハの表面を機械的加工するラッピング工程と、この機械的加工されたウェーハの表面を化学的腐食法により表面処理するエッチング工程と、このエッチング工程後のウェーハを1200〜1300°Cの温度において、1〜24時間加熱する熱処理工程と、この熱処理後のウェーハの片面もしくは両面を化学機械研磨方法により鏡面研磨する研磨工程とを有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/324 X