半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大井正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-076286
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268188
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】成形加工性、生産性に優れ、高い耐熱性、密着性、透明性を有する封止材を具えた半導体装置および製造方法の提供。【解決手段】半導体装置は、一般式(1)の単量体の付加重合体を含有する封止材に封止されてなる。〔R1〜R4は、H、炭素数1〜10の炭化水素基、特定の極性基または特定の極性基により置換された極性炭化水素基。R1〜R4は、芳香族または複素環を有する基でもよく、炭素数1〜5のアルキレン基を介して結合してもよい。R1とR2またはR3とR4は、一体化して2価の炭化水素基を形成してもよく、R1またはR2と、R3またはR4とは、互いに結合して単環構造または多環構造を形成してもよい。但し、R1〜R4の1つは特定の極性基または極性炭化水素基。mおよびpは0または正の整数。但し、m+p=0〜4。特定の極性基:アルコキシル基、-OH 、-COOH、エステル基、-CN 、一級〜三級アミノ基、アミド基、イミド基、-SO2- を有する基等。〕

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるシクロオレフィン系単量体を付加重合させて得られる特定のシクロオレフィン系付加重合体を含有してなる封止材によって封止されてなることを特徴とする半導体装置。【化1】〔式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に,水素原子、炭素原子数1〜10の炭化水素基、下記の特定の極性基、および、下記の特定の極性基により置換された極性炭化水素基よりなる群より選ばれた原子または基を示す。また、R1 〜R4 は、それぞれ独立に、芳香族または複素環を有する基であってもよく、炭素原子数1〜5のアルキレン基を介して結合していてもよい。更に、R1 とR2 またはR3 とR4 は、一体化して2価の炭化水素基を形成してもよく、R1 またはR2 と、R3 またはR4 とは、互いに結合して単環構造または多環構造を形成していてもよい。但し、R1 〜R4 のうちの少なくとも1つは特定の極性基または極性炭化水素基である。mは0または正の整数であり、pは0または正の整数である。但し、m+p=0〜4である。特定の極性基:アルコキシル基、水酸基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、一級、二級若しくは三級アミノ基、アミド基、イミド基、スルホニル基を有する基、シリル基、並びに、アルキル基、アルコキシル基、ジオール残基およびトリオール残基から選ばれた少なくとも1種の置換基により置換されたシリル基からなる群より選ばれた極性基。〕

IPC (5件)：

C08L 45/00 , C08F 4/26 , C08F 32/08 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (4件)：

C08L 45/00 , C08F 4/26 , C08F 32/08 , H01L 23/30 R

Fターム (41件)：

4J002BK001 , 4J002GQ05 , 4J015EA04 , 4J100AA00Q , 4J100AA02Q , 4J100AA03Q , 4J100AA04Q , 4J100AA20Q , 4J100AB00Q , 4J100AB02Q , 4J100AB03Q , 4J100AL02Q , 4J100AM02Q , 4J100AM15Q , 4J100AR09P , 4J100AR09Q , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100AU21Q , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA15P , 4J100BA20P , 4J100BA31P , 4J100BA40P , 4J100BA56P , 4J100BA77P , 4J100BC04Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA25 , 4J100DA62 , 4J100FA08 , 4J100JA46 , 4M109AA01 , 4M109EC05 , 4M109EC09 , 4M109EC11

前のページに戻る