特許
J-GLOBAL ID：200903075511918036
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045138
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260428
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 累積成膜膜厚に伴う成膜のウエハ面内均一性を保持して、信頼性の高い製品を得ることが可能なプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応ガスの流れを調整するためのガス分散板2枚を二重に備えた反応容器1のクリーニング時には、第1のガス分散板4を絶縁するとともにウエハ支持台2を接地し、第2のガス分散板5を高周波電極としてプラズマを発生させる。
請求項（抜粋）：
反応容器内に接地して設置されウエハを支持するウエハ支持台と、上記ウエハ支持台に対応し上記ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順次配設され上記反応容器内に供給される反応ガスの流れを調整する第1および第2のガス分散板とを備え、成膜には上記両ガス分散板または第1のガス分散板を高周波電極としてプラズマを発生させるようにしたプラズマCVD装置において、上記反応容器のクリーニング時には、上記第1のガス分散板を絶縁するとともに上記ウエハ支持台を接地し、上記第2のガス分散板を高周波電極としてプラズマを発生させるようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
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