圧電体、強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112543
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【構成】基板上に形成される強誘電体薄膜が、大きな結晶粒からなる第一強誘電体層と、緻密な構造の第二強誘電体層とからなり、第二強誘電体層上に電極層が形成されていることを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子。基板上に水熱法により大きな結晶粒からなる第一強誘電体層を形成し、次にゾルゲル法により緻密な構造の第二強誘電体層を形成することで製造できる。【効果】厚膜化が容易で信頼性が高く、高い圧電ひずみ定数を持つ圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作製することができるため、低コストで微細化も可能である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される強誘電体薄膜が、大きな結晶粒からなる第一強誘電体層と、緻密な構造の第二強誘電体層とからなり、第二強誘電体層上に電極層が形成されていることを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 41/08 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , C04B 41/85

FI (2件)：

H01L 41/08 Z , B41J 3/04 103 A

前のページに戻る