特許
J-GLOBAL ID：200903075525281995
窒化物半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337599
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181394
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【目的】 同一面側に正電極と負電極とが設けられたレーザチップをヒートシンクに載置するにあたり、電極間のショートを防止して信頼性に優れたLDを得ると共に、放熱性にも優れたLDを得る。【構成】 同一面側に正、負一対の電極が設けられて互いに電極高さが異なる窒化物半導体レーザチップの電極と、段差の設けられたヒートシンクの段差とが対向するようにワイヤレスボンディングされていることにより。電極の接触面積が大きくなりチップの放熱効果が高まり、さらに半田の量が少なくて済むので電極間ショートが無くなる。
請求項（抜粋）：
同一面側に正、負一対の電極が設けられて互いに電極高さが異なる窒化物半導体レーザチップの電極と、段差の設けられたヒートシンクの段差とが対向するようにワイヤレスボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/60 311
, H01S 3/043
H01S 3/18
, H01L 21/60 311 S
, H01S 3/04 S
