特許
J-GLOBAL ID：200903075526258482
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198876
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021902
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 波長900nm以上のレーザ光を発振し、且つ、高次モードが抑制されて基本モードで動作するる半導体レーザ装置を得る。【構成】 n型GaAs電流阻止層にシリコンを高濃度にドーピングし、該層のn型キャリア濃度を6×1018cm-3以上とし、レーザ発振時に活性層から上クラッド層を介して上記n型GaAs電流阻止層に届く900nm以上の波長を有する光を上記n型GaAs電流阻止層で吸収する。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上にn型下クラッド層,波長が900nm以上の光を発振する活性層,p型上クラッド層,p型オーミックコンタクト層を順次形成し、上記p型上クラッド層とp型オーミックコンタクト層とをリッジ状に形成し、該リッジ状に形成されたp型上クラッド層とp型オーミックコンタクト層の側部にn型電流阻止層を形成した半導体レーザ装置において、上記n型電流阻止層はシリコンドープによる6×1018cm-3以上のn型キャリア濃度を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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