特許
J-GLOBAL ID:200903075530681241

半導体基板を研磨のために予備整形する方法とその構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-165246
公開番号(公開出願番号):特開平9-017757
出願日: 1996年06月04日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【課題】 より強化された平面度を有する基板を作成する方法および構造を提供する。【解決手段】 研磨に備えて半導体ウェーハ20の主表面21,22を予備整形する方法には、主表面21,22が凹面形状を有するように整形する段階が含まれる。好適な方法においては、凹面形状を形成するためにエッチング工程が用いられる。この凹面形状は、研磨後にきわめて平坦になる開始ウェーハとなる。
請求項(抜粋):
研磨のために半導体基板を予備整形する方法であって:第1主表面(21)と、前記第1主表面の反対側に位置する第2主表面(22)とを有する半導体基板(20)を設ける段階;および前記第1主表面(21)と前記第2主表面(22)の1つが、半導体基板の研磨前に凹面形状を有するように前記半導体基板を整形する段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306
FI (2件):
H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 B

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