特許
J-GLOBAL ID：200903075532285459
半導体光電素子に対するITO膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188455
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体光電素子の電極部に透明で導電率の高いITO膜を設けた場合に問題となるコンタクト抵抗を低減する。【構成】 面発光型発光ダイオード10のキャップ層22上にスパッタリングによってITO膜24を形成した後、800°C程度に5分間保持してアニールする。
請求項（抜粋）：
光と電気とを変換する半導体光電素子に対して、In2 O3 -SnO2 から成る透明で導電率の高いITO膜を形成する方法であって、前記半導体光電素子に前記ITO膜を成膜した後、所定の温度まで加熱してアニールすることを特徴とする半導体光電素子に対するITO膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C23C 14/58
, H01L 31/04
