特許

J-GLOBAL ID：200903075534106691

半導体装置の製造方法

発明者： 末永 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270488
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298300
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗の化合物層を半導体領域の表面に形成しても半導体領域間の短絡を防止して、微細で且つ高速な半導体装置を高い歩留りで製造する。【解決手段】 自然酸化膜を除去した状態でイオン注入を行ってSi膜14及び拡散層21の表面に非晶質層14a、21aを形成し、2段階の熱処理でTiSi2 膜24を形成する。ノック・オンされた酸素原子によるシリサイド化反応の抑制を防止することができ、十分な厚さの非晶質層14a、21aを形成してシリサイド化反応を促進することができる。このため、追加の熱処理が不要で、TiSi2 膜23、24のはみ出し成長を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体と金属との化合物層を半導体領域の表面に形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体領域の表面から半導体酸化膜を除去した状態でこの半導体領域にイオン注入を行ってこの半導体領域の表面に非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層と前記金属とを第1の熱処理で反応させて前記表面に反応物層を形成する工程と、前記反応物層に第2の熱処理を行って前記化合物層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 L