特許
J-GLOBAL ID:200903075539795916
有機半導体に基づくトランジスタおよび不揮発性リードライトメモリセルを含む半導体配置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-548253
公開番号(公開出願番号):特表2005-510865
出願日: 2002年11月15日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
本発明は、トランジスタからなる半導体配置、有機半導体からなるトランジスタの半導体セグメント、および、例えばRFIDタグにおいて使用するために、好ましくはポリマーの強誘電効果に基づくメモリセルに関する。本発明による半導体配置は、スマートカードまたはタグで使用され得、かつ少なくとも1つの書換可能メモリセルを有し、少なくとも1つの有機半導体から構成される半導体経路を有する可撓性基板に印加される。書換可能メモリセルは、メモリ材料中の強誘電効果に基づくことを特徴とし、メモリ材料は、強誘電特性を有する有機ポリマーであることを特徴とし、メモリ材料は、強誘電特性を有する無機ポリマーであることを特徴とする。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの有機半導体から構成される半導体経路を有する少なくとも1つの半導体デバイスを有する半導体配置であって、
メモリ材料中の強誘電効果に基づく少なくとも1つの書換可能メモリセルを特徴とする、半導体配置。
IPC (3件):
H01L27/10
, H01L27/105
, H01L51/00
FI (3件):
H01L27/10 449
, H01L27/10 444B
, H01L29/28
Fターム (14件):
5F083FR02
, 5F083FZ07
, 5F083FZ10
, 5F083GA30
, 5F083HA10
, 5F083JA01
, 5F083JA02
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA19
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
引用特許:
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