半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017965
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】不揮発性メモリ機能を有する集積度の高いRAMを実現する。【構成】メモリセルMCは、駆動用MISFETQd1,Qd2 と負荷用MISFETQp1,Qp2 からなるフリップフロップ回路、転送用MISFETQt1,Qt2 、およびフリップフロップ回路の記憶ノードN1,N2 にそれぞれ接続された強誘電体コンデンサCf1,Cf2 によって構成されている。メモリセルの電源が切れたときは、記憶ノードN1,N2 にそれぞれ蓄積されている情報をもとに、電源電圧VL およびプレート電圧VP をそれぞれ制御することによって、強誘電体コンデンサCf1,Cf2 の分極方向が設定されて、記憶ノードN1,N2 に蓄積されていた情報が強誘電体コンデンサCf1,Cf2 に読み出され、保持される。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ機能を有する半導体集積回路装置であって、フリップフロップ回路および前記フリップフロップ回路が有する2個の記憶ノードのそれぞれに接続された2個の強誘電体コンデンサによって構成されるメモリセルを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (10件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 371 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 371 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 F , H01L 29/78 301 M , H01L 29/78 371

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