特許
J-GLOBAL ID：200903075542534708
積層チツプトランス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208484
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029147
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 積層チップトランスの外層部における磁束の電極間回り込みを低減させることにより、第一のコイル素子と第二のコイル素子の電磁結合係数を向上させる。【構成】 スルーホール接続子10b,13bを介して線輪電極6A〜6Dを接続することにより第一のコイル素子CL1を構成する。スルーホール接続子12b,14bを介して線輪電極7A〜7Cを接続することにより第二のコイル素子CL2を構成する。両線輪電極6A〜6D,7A〜7Cはほぼ交互に積層されており、それぞれ略等しい巻径を有し、しかも、外層部の線輪電極ほど電極幅が狭くなっており、内層部の線輪電極ほど電極幅が広くなっている。
請求項（抜粋）：
導体膜によって1ターン未満の線輪電極が形成された第一種及び第二種の各複数枚の絶縁層を積層し、第一種の各絶縁層の線輪電極同士を接続して第一のコイル素子を形成し、第二種の各絶縁層の線輪電極同士を接続して第二のコイル素子を形成した積層チップトランスにおいて、コイル素子の入出力部が形成された絶縁層を除いて第一種の絶縁層と第二種の絶縁層を交互に積層し、第二種の絶縁層に設けたスルーホール接続子を介して第一種の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第一のコイル素子を形成し、第一種の絶縁層に設けたスルーホール接続子を介して第二種の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第二のコイル素子を形成し、第一種及び第二種の各絶縁層に形成された線輪電極をそれぞれほぼ等しい巻径とすると共に、外層部の線輪電極の幅を内層部の線輪電極の幅よりも幅狭となるようにしたことを特徴とする積層チップトランス。
IPC (2件)：
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