特許
J-GLOBAL ID：200903075546901853
半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325862
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153676
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 擬似欠陥を含んだ回路パターンはフォトマスク作成工程の歩留まりの低下と作業時間の増大をもたらすので、回路パターンに含まれいている擬似欠陥発生の要因となる部分を修正する半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置を提供する。【構成】 ?@描画手段によりパターン描画すべき半導体回路パターンを生成する半導体回路パターン生成工程を含む設計方法において、生成回路パターンが描画手段の描画方向に対して斜めの外形部分を有する斜めパターン部分、及び該斜めパターン部分に接した矩形パターン部分を備え、かつ該斜めパターン部分が一定の大きさ以下である場合に、これを識別して、該斜めパターン部分を該矩形パターン部分を拡大させた矩形パターン9に置き換える変換を行う。 ?A上記?@の変換機能を有する直接描画装置。
請求項（抜粋）：
描画手段によりパターン描画すべき半導体回路パターンを生成する半導体回路パターン生成工程を含む半導体装置の回路パターン設計方法において、前記生成した回路パターンが前記描画手段の描画方向に対して斜めの外形部分を有する斜めパターン部分、及び該斜めパターン部分に接した矩形パターン部分を備え、かつ該斜めパターン部分が一定の大きさ以下である場合に、これを識別して、該斜めパターン部分を該矩形パターン部分を拡大させた矩形パターンに置き換える変換を行うことを特徴とする半導体装置の回路パターン設計方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
