特許
J-GLOBAL ID：200903075546911409
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053297
出願日： 1991年08月24日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハに対して同じ処理を仕向先によって異なるマスクを用いて行う半導体装置の製造方法において、マスクの半導体ウェハに対する位置合せの際にそのマスクの仕向先を確認できるようにする。【構成】 予め半導体ウェハとマスクに、両者を位置合せしたとき仕向先を認識せしめるマークを設けておくことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハに対して同じ処理を仕向先によって異なるマスクを用いて行う半導体装置の製造方法において、予め半導体ウェハとマスクに、両者を位置合せしたとき仕向先を認識せしめるマークを設けておくことを特徴とする半導体装置の製造方法
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 9/00
, H01L 21/30
