特許

J-GLOBAL ID：200903075547771066

基板処理装置

発明者： 高寺 浩之
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270594
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】反応室に有機原料ガスを導入し、減圧CVD法等で成膜する装置において、基板を搭載したヒータユニットの排気の位置と通路を調整し、反応室の残留ガスの排気時間を短縮し、装置スループットの向上をはかる。【解決手段】一方から、ガス導入口、基板の処理位置、排気口の順に設けられた成膜装置において、基板(15)の加熱制御と、処理時に基板を保持するヒータユニット(1)と、処理時に基板の周縁部を覆い成膜を防ぐカバープレート(3)をヒータユニット上の基板部で保持し、排気時にカバープレートがヒータユニットから離れた時には、反応室内壁(17)に設けられている支持治具(4)により保持され、ヒータユニット上の基板位置を排気口(2)レベル近傍に移動させた後、反応室(7)内を減圧排気する手段を少なくとも備えた基板処理装置とする。

請求項（抜粋）：

一方から、ガス導入口、基板の処理位置、排気口の順で配置された基板処理装置において、上記基板を加熱する加熱手段を有し、処理時に上記基板を保持する構造のヒータユニットと、処理時に上記基板の外周位置にあって、上記ヒータユニットにて保持されるカバープレートと、上記カバープレートが上記ヒータユニットから離れた際に、上記カバープレートを保持する保持手段と、を有し、上記カバープレートは、少なくとも上記排気口を完全に横切らない位置で上記保持手段にて保持され、上記ヒータユニットから取り除かれる位置まで上記ヒータユニットを移動させた後、反応室内を減圧排気する手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 E

Fターム (17件)：

4K030AA11 ,  4K030EA11 ,  4K030KA12 ,  4K030KA24 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EE14 ,  5F045EF14 ,  5F045EF20 ,  5F045EG01 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10