特許
J-GLOBAL ID:200903075548628259
回路基板の冷却構造
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-275853
公開番号(公開出願番号):特開2002-094192
出願日: 2000年09月12日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】優れた放熱特性を有する回路基板の冷却構造を提供する。【解決手段】セラミックス基板(3)の表面には回路(2)、裏面には複数個の良熱伝導性突起物(4)が設けられてなり、上記良熱伝導性突起物が冷媒と直接流通接触できるようにセラミックス基板の下部がハウジング(5)されていることを特徴とする回路基板の冷却構造。この場合において、セラミックス基板(3)の裏面面積に対する複数個の良熱伝導性突起物(4)の設置面積の合計の比が、0.3〜0.9であることが好ましい。
請求項(抜粋):
セラミックス基板(3)の表面には回路(2)、裏面には複数個の良熱伝導性突起物(4)が設けられてなり、上記良熱伝導性突起物が冷媒と直接流通接触できるようにセラミックス基板の下部がハウジング(5)されていることを特徴とする回路基板の冷却構造。
IPC (4件):
H05K 1/02
, H01L 23/36
, H01L 23/473
, H05K 7/20
FI (4件):
H05K 1/02 F
, H05K 7/20 N
, H01L 23/36 Z
, H01L 23/46 Z
Fターム (15件):
5E322AA01
, 5E322AA05
, 5E322DA04
, 5E338AA01
, 5E338AA18
, 5E338BB61
, 5E338BB71
, 5E338BB75
, 5E338CC01
, 5E338CD11
, 5E338EE02
, 5F036AA01
, 5F036BA10
, 5F036BA23
, 5F036BB05
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-228423
出願人:三菱電機株式会社
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特開平3-011759
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特開平3-011759
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特開平3-011759
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開口流路のあるセラミツク基質
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-273469
出願人:ダブリュ・アール・グレイス・アンド・カンパニー・コネテイカット
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