特許
J-GLOBAL ID:200903075551654252

地磁気方位センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-214491
公開番号(公開出願番号):特開平10-062175
出願日: 1996年08月14日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、複数の強磁性体コアが磁気ギャップを介して連結されたセンサ基板と、磁気ギャップ内に配された磁気抵抗効果素子とを備え、強磁性体コアに巻装された励磁用コイルによってバイアス磁界を印加した状態で、磁気抵抗効果素子によって地磁気の方位を検出する地磁気方位センサに関するものであり、励磁用コイルの巻装を容易なものとし、しかも、その巻き数をより多くすることを可能とすることを目的としている。【解決手段】 先ず、複数の強磁性体コアが磁気ギャップを介して連結されたセンサ基板に、矩形状の切り欠き部を形成する。そして、切り欠き部が形成されたセンサ基板を構成する強磁性体コアを巻回するように、励磁用コイルが巻装されたコイルボビンをセンサ基板に取り付け、その後、切り欠き部にセンサ基板とは別体の強磁性体コアを取り付ける。
請求項(抜粋):
複数の強磁性体コアが磁気ギャップを介して連結されたセンサ基板と、上記磁気ギャップ内に配された磁気抵抗効果素子とを備えた地磁気方位センサにおいて、上記センサ基板の一部に切り欠き部が形成され、当該切り欠き部にセンサ基板とは別体の強磁性体コアが配されていることを特徴とする地磁気方位センサ。
IPC (4件):
G01C 17/32 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09 ,  G01V 3/40
FI (4件):
G01C 17/32 ,  G01R 33/02 L ,  G01V 3/40 ,  G01R 33/06 R

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