特許
J-GLOBAL ID：200903075557721822
表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244572
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090655
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 工程を増加することなく性能を低下させず光リーク電流を防止した表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板1上に、表示用の薄膜トランジスタ27、画素電極25および光入力を感知する受光用の薄膜トランジスタ28をマトリクス状に配設する。表示用の薄膜トランジスタ27は、非晶質シリコン膜3および絶縁膜5を介して形成する。受光用の薄膜トランジスタ28が非晶質シリコン膜3を有しているので、ライトペンの光の強度は多結晶シリコンの場合に比べて10分の1程度でよい。表示用の薄膜トランジスタ27の活性層が多結晶シリコンであるので、OD1 が1程度の非晶質シリコン膜3で、ガラス基板1側から入射するライトペンからの光を抑えられる。表示用の薄膜トランジスタ27の非晶質シリコン膜3と受光用の薄膜トランジスタ28の光電変換層4を同一工程で形成する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成された多結晶半導体層を含む活性層を有する薄膜トランジスタおよび光電変換層を有する光電変換素子、薄膜トランジスタにより制御される画素電極を含む単位画素をマトリクス状に配設したアレイ基板と、このアレイ基板に対向して設けられた対向基板とを具備した表示装置において、前記薄膜トランジスタの活性層と前記透明基板との間に介挿された非晶質シリコン膜を備え、前記光電変換層は、この非晶質シリコン膜と同一工程で形成された非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/1333
, G02F 1/136 500
G02F 1/1333
, G02F 1/136 500
