特許

J-GLOBAL ID：200903075560081842

半導体装置

発明者： 貴家 健次
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005882
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221248
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】半導体受光素子やこれらを駆動する電子部品からなる集積回路が複数組み込まれた半導体装置において、その装置サイズや実装のためのスペースを拡張することなく、前記集積回路内で発生した熱を素早く放出することのできる半導体装置を提供することである。【解決手段】素子基板22と、この素子基板22の表面に形成され、複数の半導体受光素子等からなる光電子集積回路25が実装されるダイボンドパターン部24と、このダイボンドパターン部24の所定の箇所から素子基板22の裏面に延びる複数のサーマルビア26と、前記素子基板22の裏面に形成され、前記サーマルビア26の下端に接する薄板状のサーマルランド27とを備え、前記素子基板22の側面に形成される側面放熱部33を介して前記ダイボンドパターン部24とサーマルランド27とを連結させることで、前記光電子集積回路25内で発生した熱を外部に放出させるようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

素子基板と、この素子基板の表面に形成され、複数の半導体受光素子が実装されるダイボンドパターン部と、このダイボンドパターン部の所定の箇所から素子基板の裏面に延びる複数の熱伝導ビアと、前記素子基板の裏面に形成され、前記熱伝導ビアの下端に接する薄板状の放熱パターンとを備えると共に、前記素子基板の側面に形成される側面放熱部を介して前記ダイボンドパターン部と放熱パターンとを連結させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L31/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (6件)：

H01L31/02 B ,  H04N5/335 V ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L23/12 J ,  H01L23/36 C

Fターム (25件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118HA12 ,  4M118HA20 ,  4M118HA36 ,  5C024EX22 ,  5C024EX26 ,  5C024GY31 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC05 ,  5F036BC33 ,  5F088AA01 ,  5F088AA07 ,  5F088BA11 ,  5F088BA16 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20