特許
J-GLOBAL ID：200903075564571844
磁性薄膜メモリ素子およびその記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063028
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266651
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 メモリ素子のサイズが小さくなっても、充分に大きな読出し信号がえられる磁性薄膜メモリ素子およびその記録方法を提供する。【構成】 メモリ素子として保磁力の大きな磁性層aと保磁力の小さな磁性層bとを非磁性層cを介してa/c/b/c/a/c/b/c・・・・というふうに積層してなる人工格子膜を用い、磁性層bの磁化の向きを変えることにより、「0」と「1」の記録を行い、再生は磁性層aと磁性層bの磁化の向きが平行のばあいと反平行のばあいとで抵抗が大きく変化することを利用し、メモリ素子の両端の電圧Vを比較することにより、「0」と「1」の記録状態を判別する。【効果】 記録用の配線と素子の間隔を小さくでき、省電力化、高密度化が達成できると共に、再生の際抵抗の変化率が大きいため、再生信号の検出が容易である。
請求項（抜粋）：
磁性薄膜の磁化の向きによって情報を記憶し、記憶した情報を磁気抵抗効果による素子の抵抗変化を利用して読み出す方法を用いる磁性薄膜メモリ素子であって、前記磁性薄膜が保磁力の大きな磁性層aと保磁力の小さな磁性層bとを非磁性層cを介してa/c/b/c/a/c/b/c・・・・というふうに積層して形成されていることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
引用特許：
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