特許
J-GLOBAL ID：200903075565923795
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012895
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【構成】データ線Di0〜Di7に負荷回路6を接続し、同時に選択されるデータ線Di0〜Di7のうちいずれか1本のみを選択的にセンスアンプ3に接続するスイッチ回路4を設ける。【効果】複雑な回路構成のセンスアンプ3を同時に選択されるデータ線Di0〜Di7によって共有化することができるので、従来通りの高速読み出しモードを有しながら、チップ面積を縮小し、かつ、消費電力の低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された多数のメモリセルに対して、1の行選択線と1の列選択線の指定により同時に複数のメモリセルを選択する半導体記憶装置であって、メモリセルの各データ線にそれぞれ接続される負荷回路、及び同時に選択されるメモリセルのデータ線のうちいずれか1のデータ線のみを選択的にセンスアンプ回路に接続するスイッチ回路を備えている半導体記憶装置。
引用特許：
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