特許
J-GLOBAL ID：200903075566615539
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328435
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183515
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 平坦化、高集積化が図れ、ゲート電極や配線の低抵抗化が達成され且つ信頼性の高い半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にゲート酸化膜2を介して、多結晶シリコン層3およびタングステンシリサイド層4からなるタングステンポリサイド層10をパターニングしてゲート電極11を形成し、次に、ゲート電極11の側壁にサイドウォール9を形成した後、アンモニア雰囲気で熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
下層が多結晶シリコン層からなり、上層が高融点金属層または高融点金属シリサイド層からなる高融点金属ポリサイド層から形成されてなるゲート電極および/または配線を備えた半導体装置の製造方法において、結晶化され且つ少なくとも一部が露出された前記高融点金属ポリサイド層に、前記高融点金属が窒化される雰囲気中で熱処理を行う工程を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
