特許
J-GLOBAL ID：200903075572233788
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138383
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 PN接合に逆バイアス電圧が印加されたときにPN接合の逆リーク電流が増加することがないようにする。【解決手段】 所定濃度の不純物濃度を有した第1の導電型の半導体基板1 と、所定濃度よりも高濃度の不純物濃度を有して半導体基板1 の一主面に沿って設けられた第1の導電型の第1の領域1aと、半導体基板1 の一主面に沿って設けられた第2の導電型の第2の領域1bと、半導体基板1 の一主面上に設けられた絶縁膜2 と、第1の領域1aとの接触部分を残して絶縁膜2 上に設けられた第1の導電膜3 と、第2の領域1bとの接触部分を残して絶縁膜2 上に設けられた第2の導電膜4 と、を備え、第1の導電膜3 と第2の導電膜4 との間に位置するよう絶縁膜2上に第3の導電膜5 が設けられた構成にしてある。
請求項（抜粋）：
所定濃度の不純物濃度を有した第1の導電型の半導体基板と、所定濃度よりも高濃度の不純物濃度を有して半導体基板の一主面に沿って設けられた第1の導電型の第1の領域と、半導体基板の一主面に沿って設けられた第2の導電型の第2の領域と、半導体基板の一主面上に設けられた絶縁膜と、第1の領域との接触部分を残して絶縁膜上に設けられた第1の導電膜と、第2の領域との接触部分を残して絶縁膜上に設けられた第2の導電膜と、を備え、前記第1の導電膜と第2の導電膜との間に位置するよう前記絶縁膜上に第3の導電膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/91 D
, H01L 29/06
