特許
J-GLOBAL ID:200903075574257137

磁歪素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-351480
公開番号(公開出願番号):特開平5-167127
出願日: 1991年12月12日
公開日(公表日): 1993年07月02日
要約:
【要約】【目的】 永久磁石によりバイアス磁界を印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内における磁化分布の均一性を向上させる。【構成】 磁歪材と永久磁石とを同軸的に積層し、永久磁石の軸方向に垂直な断面の面積を、磁歪材の軸方向に垂直な断面の面積より大きく設定する。
請求項(抜粋):
希土類金属元素と鉄とを含有する磁歪材および前記磁歪材にバイアス磁界を印加するための永久磁石をそれぞれ少なくとも1個有し、前記磁歪材および前記永久磁石がいずれも柱状または筒状であって、前記磁歪材と前記永久磁石とがほぼ同軸的に交互に積層された積層体を構成しており、前記磁歪材および前記永久磁石の軸方向に垂直な断面の面積をそれぞれSs およびSm としたとき、Sm /Ss >1であることを特徴とする磁歪素子。

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