フェニレン基含有共重合体の製造方法、膜形成材料、絶縁材料、光学材料、処理方法及びフェニレン基含有共重合体膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樋口武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055433
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】優れた耐熱性及びガラス転移温度を有するとともに有機溶媒可溶性で、かつ成膜後の低誘電性及び密着性等の諸特性のバランスに優れたフェニレン基含有共重合体を得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】下記式(1)に示すフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(A))5〜95モル%と、下記式(2)に示すフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(B))5〜95モル%と、特定のフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(C))0〜50モル%とを、遷移金属を含む触媒系の存在下に共重合させることを特徴とするフェニレン基含有共重合体の製造方法。【化1】【化2】

請求項（抜粋）：

下記式(1)に示すフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(A))5〜95モル%と、下記式(2)に示すフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(B))5〜95モル%と、下記式(3)〜(5)に示すフェニレン基含有化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物(化合物(C))0〜50モル%とを、遷移金属を含む触媒系の存在下に共重合させることを特徴とするフェニレン基含有共重合体の製造方法。【化1】[式(1)中、Xは、-CQQ′-(ここで、Q、Q’は同一でも異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子又はアリール基を示す)に示す基、及びフルオレニレン基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、R1〜R8は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示し、R17〜R18は同一でも異なっていてもよく、-OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]【化2】[式(2)中、R9〜R16は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示し、R18は、-OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]【化3】【化4】【化5】[式(3)〜(5)中、R19〜R22は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示し、R23は、-OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]

IPC (4件)：

C08G 61/02 , C08L 65/00 , C09D165/00 , H01L 21/312

FI (4件)：

C08G 61/02 , C08L 65/00 , C09D165/00 , H01L 21/312 A

Fターム (22件)：

4J002CE001 , 4J002CH061 , 4J002GP00 , 4J002GQ01 , 4J032CA02 , 4J032CA03 , 4J032CA04 , 4J032CB04 , 4J032CD02 , 4J032CD08 , 4J032CE03 , 4J032CF01 , 4J032CF05 , 4J032CG08 , 4J038DC001 , 4J038NA21 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

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