特許
J-GLOBAL ID：200903075589528633
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-257152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125111
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 超音波ワイヤボンディングが可能で殆ど特性変化を生じさせず小型化ができる半導体装置を提供する。【構成】 1はセラミック基板であり、3はセラミック基板1上に半田あるいは焼き付け等の接着2により固定された、例えば抵抗体からなる第1の電子部品であり、4は第1の電子部品上に例えば半導体基板に形成された集積回路からなる第2の電子部品6を固定するための絶縁性を有し樹脂ビーズ5が配合された低応力可とう性樹脂接着剤である。そして第2の電子部品6上にはワイヤ7が超音波により接着され、第3の電子部品8に接続されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に固定される第1の電子部品と、絶縁性を有するとともに樹脂からなる樹脂ビーズが配合された低応力可とう性樹脂接着剤により前記第1の電子部品上に固定された第2の電子部品と、該第2の電子部品上に、この電子部品とは別の電子部品とを電気的に接続する超音波ボンディングされたワイヤとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 21/607
