特許
J-GLOBAL ID:200903075589631590

光導波路形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-220951
公開番号(公開出願番号):特開2001-042152
出願日: 1999年08月04日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 コア層内の応力分布を低減する。光導波路形成の歩留まりが向上する。光クロストークの低減とコア間の狭ピッチ化を可能にする。【解決手段】 基板上に、下部クラッド層と、下部クラッド層よりも屈折率が高いコア層を順次積層し、1つ以上のアレイ状に配置したコアを形成し、アレイ状に配置したコアを、下部クラッド層と等しい屈折率を持つ上部クラッド層で完全に埋め込んで光導波路を形成する光導波路形成方法であって、アレイ状に配置した基板上のコアのパターンと等しい第1のマスクをコア層の表面に積層し、その上に第2のマスクの断面形状内に第1のマスクの断面形状が含まれるように第1のマスクを覆う第2のマスクを形成し、第2のマスクを積層したコア層の表面から化学的、あるいは機械的にコア層をエッチングし、第2のマスクを除去した後に、第1のマスクを介してコア層、あるいはコア層と下部クラッド層をエッチングし、第1のマスクを除去して前記矩形状のコアを形成する方法である。
請求項(抜粋):
基板上に、下部クラッド層と、前記下部クラッド層よりも屈折率が高いコア層を順次積層し、前記コア層を厚み方向の断面を矩形状に加工して1つ以上のアレイ状に配置したコアを形成し、前記アレイ状に配置した前記コアを、前記下部クラッド層と等しい屈折率を持つ上部クラッド層で完全に埋め込んで光導波路を形成する光導波路形成方法であって、前記アレイ状に配置した基板上の前記コアのパターンと等しい第1のマスクを前記コア層の表面に形成し、その上に第2のマスクの断面形状内に第1のマスクの断面形状が含まれるように前記第1のマスクを覆う前記第2のマスクを形成し、前記第2のマスクを形成したコア層の表面から化学的、あるいは機械的に前記コア層をエッチングし、前記第2のマスクを除去した後に、前記第1のマスクを介して前記コア層、あるいは前記コア層と前記下部クラッド層をエッチングし、前記第1のマスクを除去して前記矩形状のコアを形成することを特徴とする光導波路形成方法。
Fターム (9件):
2H047KA04 ,  2H047KB10 ,  2H047PA02 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA05 ,  2H047TA03 ,  2H047TA42

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