特許
J-GLOBAL ID：200903075590933487
半導体装置用軽量基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091023
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027572
出願日： 1988年11月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 軽量にして高集積化および大電力化に十分対応することができる半導体装置用軽量基板の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁板材Cの一方の面にAlまたはAl合金からなるヒートシンク板材AをAl-Si系合金またはAl-Ge系合金ろう材Dを挟んで積層し、さらに前記酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁板材Cの他方の面にAlまたはAl合金からなる回路形成用薄板材BをAl-Si系合金またはAl-Ge系合金ろう材Dを挟んで積層することにより積層体を製造し、この積層体をろう材溶融温度に加熱して積層接合体を製造し、ついでこの積層接合体の回路形成薄板材Bの表面の所定部分または全面にCuまたはNiメッキ層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁板材の一方の面にAlまたはAl合金からなるヒートシンク板材をAl-Si系合金またはAl-Ge系合金ろう材を挟んで積層し、さらに前記酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁板材の他方の面にAlまたはAl合金からなる回路形成用薄板材をAl-Si系合金またはAl-Ge系合金ろう材を挟んで積層することにより積層体を製造し、この積層体をろう材溶融温度に加熱して積層接合体を製造し、ついでこの積層接合体の回路形成薄板材の表面の所定部分または全面にCuまたはNiメッキ層を形成することを特徴とする半導体装置用軽量基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/14 M
, H01L 23/12 J
