特許

J-GLOBAL ID：200903075591864349

精密な表面のための超臨界流体洗浄プロセス

発明者： モーリッツ・ヘイコ ,  ボイド・ジェームズ ,  マウント・デイビッド ,  チャンドラ・モハン ,  コスタンティニ・マイケル ,  ジャフリ・イジャーズ ,  ヒースウェイト・リック
出願人/特許権者： エス.シー.フルーイズ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-583954
公開番号（公開出願番号）：特表2004-510321
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【解決手段】二酸化炭素などのプロセス材料と、共溶媒や界面活性剤などの有用な添加物とを用いて、半導体ウエハなどの精密な表面を洗浄するための乾式プロセスであって、プロセス材料は、気体および超臨界状態でのみ用いられる。比較的高い超臨界圧力でのソーク期間後にプロセスチャンバ(10)を急速に減圧することにより、除去すべきポリマおよびその他の物質を機械的に弱くして破壊するソークおよび撹拌の工程が、ウエハに施され、遊離した破片を取り除くための超臨界流体フラッシングと組み合わせて用いられる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

精密な表面を洗浄するための超臨界流体洗浄プロセスであって、 (a)前記洗浄プロセスのために温度および圧力の臨界点において超臨界流体に転移可能なプロセスガスを備えるプロセス材料を選択する工程と、 (b)超臨界温度と、比較的低い超臨界圧力と、比較的高い超臨界圧力とを含む、前記プロセスガスに対しての超臨界流体動作パラメータを選択する工程であって、前記比較的高い超臨界圧力は、前記比較的低い超臨界圧力の少なくとも2倍であることが好ましい、工程と、 (c)圧力容器内の前記精密な表面を備える少なくとも1つの基板に関して、ロードと、閉鎖と、シールとを実行する工程であって、前記容器は、前記プロセスガスの供給源と、前記超臨界流体の供給源に接続され、前記プロセスの副生成物を排出するための少なくとも1つのポートを有しており、前記容器は、前記容器の内部を加熱するための手段を備えるよう構成され、前記プロセス材料の流入と前記副生成物の流出から前記容器を隔離するための独立した手段を有する、工程と、 (d)前記内部を前記超臨界温度まで加熱しながら、プロセスガスと超臨界流体で前記容器をパージして前記比較的高い超臨界圧力に加圧することにより、液体相の条件を満たさないように、その他すべてのガスを超臨界流体で置き換える工程と、 (e)所定のソーク期間、前記比較的高い超臨界圧力で前記ウエハをソークする工程と、 (f)前記容器を前記比較的低い超臨界圧力まで急速に減圧することにより前記基板を撹拌すると共に、所定の期間、前記超臨界流体で前記容器をフラッシングし、次いで、前記容器を前記比較的高い超臨界圧力まで急速に上昇させる工程と、 (g)前記比較的高い超臨界圧力で前記基板をリンスする工程と、 (h)前記容器を超臨界温度に保ったまま、容器の圧力を周囲圧力にまで下降させることにより、超臨界流体とプロセスガスで前記基板を乾燥させる工程と、 (i)前記容器を開けて、前記基板をアンロードする工程と、 を備える、プロセス。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  H01L21/027

FI (3件)：

H01L21/304 641 ,  B08B3/08 Z ,  H01L21/30 572B

Fターム (8件)：

3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201BB12 ,  3B201BB90 ,  3B201BB98 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05 ,  5F046MA07