特許

J-GLOBAL ID：200903075596429179

導電性ダイヤモンド微粒子の製造方法

発明者： 神田 久生 ,  福長 脩
出願人/特許権者： 文部科学省無機材質研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-170474
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】 導電性ダイヤモンド微粒子の製造方法の開発。【解決手段】 ホウ素を黒鉛に対して0.5wt%以上15wt%以下含む黒鉛をダイヤモンド転換金属触媒と共存させ、1200°C以上の温度および4.5GPa以上の圧力の高温高圧下で黒鉛をダイヤモンドに変換して平均粒径20〜30μmの導電性ダイヤモンド微粒子を製造する。

請求項（抜粋）：

ホウ素を黒鉛に対して0.5wt%以上15wt%以下含む黒鉛をダイヤモンド転換金属触媒と共存させ、1200°C以上の温度および4.5GPa以上の圧力の高温高圧下で黒鉛をダイヤモンドに変換することを特徴とする平均粒径20〜30μmの導電性ダイヤモンド微粒子の製造方法。

IPC (2件)：

B01J 3/06 ,  C01B 31/06

FI (2件)：

B01J 3/06 R ,  C01B 31/06 A

Fターム (2件)：

4G046GA03 ,  4G046GB05