特許

J-GLOBAL ID：200903075599374804

バイアス磁性層構造を有する磁気素子

発明者： ヒリース,ミュライ エフ ,  レンセン,カルス-ミシール ハー ,  カイペル,アントニウス エー テー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566149
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526913
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】磁気素子には、第1の磁性層構造(7)と、略一定方向の磁化(M11)を有する第2の磁性層構造(11)と、第1の磁性層構造と第2の磁性層構造とを互いから分離するスペーサ層構造(9)との積層体が設けられる。磁気素子には、第1の磁性層構造に縦バイアス磁界を印加するバイアス手段が更に設けれ、このバイアス手段は、第1の磁性層構造の反対側に位置する薄いバイアス磁性層構造(3)を含む。バイアス磁性層構造は、第2の磁性層構造の磁化の方向に対して垂直な磁界結合成分(M3)を与え、非磁性層構造(5)によって第1の磁性層構造から分離されている。第1の磁性層構造は、バイアス磁性層構造に主に強磁性的に結合される。電解素子は、非常に高密度の適用法に好適である。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層構造と、略一定方向の磁化を有する第2の磁性層構造と、上記第1の磁性層構造と上記第2の磁性層構造とを互いから分離するスペーサ層構造との積層体が設けられ、 上記第1の磁性層構造に縦バイアス磁界を印加するバイアス手段が更に設けられる磁気素子であって、 上記バイアス手段は、上記第1の磁性層構造の反対側に位置するバイアス磁性層構造を含み、 上記バイアス磁性層構造は、上記第2の磁性層構造の上記磁化の方向に対して垂直な磁界結合成分を与え、非磁性層構造によって上記第1の磁性層構造から分離されており、それにより上記第1の磁性層構造は上記バイアス磁性層構造に主に強磁性的に結合される磁気素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA04 ,  5E049AC05 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39