特許

J-GLOBAL ID：200903075600738459

Al合金薄膜およびAl合金スパッタリングターゲット

発明者： 福世 秀秋 ,  畠下 明
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293208
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183337
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】 平面型ディスプレイ回路用として用いるための、低比抵抗で高い耐ヒロック特性を有し、現像液に対する耐腐食性に優れ、なおかつスプラッツの発生が少ないAl合金薄膜及びAl合金薄膜形成用のスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 平面型ディスプレイ回路用のAl合金薄膜及びAl合金スパッタリングターゲットにおいて、合金組成をM(M:Mo、Cr、W、V、Nb、Ta、Ti、ZrまたはHfから選択された1種以上の元素):合計0.2〜2at%、B:0.1〜2at%、残部Al及び不可避的不純物からなるものとする。

請求項（抜粋）：

平面型ディスプレイ回路用のAl合金薄膜において、合金組成が、M(MはMo、Cr、W、V、Nb、Ta、Ti、ZrまたはHfから選択された1種以上の元素):合計で0.2〜2at%、B:0.1〜2at%、残部Alおよび不可避的不純物からなることを特徴とするAl合金薄膜。

IPC (5件)：

C23C 14/14 ,  C22C 21/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 14/14 B ,  C22C 21/00 N ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L