特許
J-GLOBAL ID：200903075601805605
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284064
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112596
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 組立て工程を複雑化することなく、アレイ形の半導体レーザの発光領域相互間の熱的クロススクートの少ない半導体レーザ装置を得る。【構成】 半導体レーザ用ヒートシンク2を、熱伝導率の大きな絶縁性材料からなる層2a,及び熱伝導率の小さな絶縁性材料からなる層2bを、搭載される半導体レーザの複数のストライプ状発光領域4a,4b,4cの配列方向に、交互に複数層積層した構造とし、半導体レーザチップ3を、その各ストライプ状発光領域間に少なくとも1層の上記熱伝導率の小さな絶縁性材料からなる層2bが配置されるように上記半導体レーザ用ヒートシンク2上に搭載した。
請求項（抜粋）：
1チップ内に複数のストライプ状発光領域を有し各発光領域が独立に駆動されるアレイ型半導体レーザチップ、又は単一のストライプ状の発光領域を有する複数の半導体レーザチップが半導体レーザ用ヒートシンクに搭載された半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ用ヒートシンクは、熱伝導率の大きな絶縁性材料からなる層,及び熱伝導率の小さな絶縁性材料からなる層を、搭載される半導体レーザの複数のストライプ状発光領域の配列方向に、交互に複数層積層した構造を備え、上記半導体レーザチップは、各ストライプ状発光領域間に少なくとも1層の上記熱伝導率の小さな絶縁性材料からなる層が配置されるように上記半導体レーザ用ヒートシンク上に搭載されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/373
, H01L 33/00
