光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166495
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013702
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】金属放熱体に重ねるサブマウントを介してマウントするLD素子において、サブマウント厚さを最適化して、LD素子に加わるストレスの最大値を限定するマウント構造を提供する点。【構成】サブマウントの厚さと単一縦モード発振歩留りの関係を調査したところ、サブマウントの厚さがある値を越えると単一縦モード発振歩留りが臨界的に改善される事実を見出だし、またこれを基にLD素子に加わるストレスの最大値を把握できたことにより本発明を完成した。

請求項（抜粋）：

金属放熱体に固着するサブマウントと,このサブマウントを介して取付けるInPを基板材料とする分布帰還型もしくは分布反射型半導体レーザダイオード素子とを具備し,前記半導体レーザダイオード素子に加わるストレス値が1×109 ダイン以下になるように前記サブマウントの厚さを選定することを特徴とする光半導体装置

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-156212
特開昭59-210687
特開昭61-075585

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